光(guang)伏發電的(de)(de)主(zhu)要原(yuan)(yuan)(yuan)理是(shi)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)的(de)(de)光(guang)電效應。光(guang)子(zi)(zi)照射到(dao)金屬上時，它(ta)的(de)(de)能量可(ke)以(yi)被金屬中(zhong)某個電子(zi)(zi)全部吸收，電子(zi)(zi)吸收的(de)(de)能量足夠(gou)大，能克服金屬原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)內(nei)部的(de)(de)庫侖力(li)做功(gong)，離開金屬表面(mian)逃逸(yi)出來，成(cheng)為光(guang)電子(zi)(zi)。硅原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)有(you)(you)4個外(wai)層(ceng)電子(zi)(zi)，如果在純硅中(zhong)摻入有(you)(you)5個外(wai)層(ceng)電子(zi)(zi)的(de)(de)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)如磷原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)，就成(cheng)為N型(xing)(xing)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)；若在純硅中(zhong)摻入有(you)(you)3個外(wai)層(ceng)電子(zi)(zi)的(de)(de)原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)如硼原(yuan)(yuan)(yuan)子(zi)(zi)，形(xing)成(cheng)P型(xing)(xing)半(ban)導(dao)(dao)體(ti)。當P型(xing)(xing)和N型(xing)(xing)結合在一起時，接(jie)觸(chu)面(mian)就會形(xing)成(cheng)電勢差，成(cheng)為太陽(yang)能電池。當太陽(yang)光(guang)照射到(dao)P－N結后，電流便從P型(xing)(xing)一邊(bian)(bian)流向N型(xing)(xing)一邊(bian)(bian)，形(xing)成(cheng)電流。